PIN光电二极管

PIN光电二极管

First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造光电二极管系列产品。材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整,以此优化产品参数,其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。我们致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。

关于PIN光电二极管

光电二极管是将光转换成电压(光电效应)或光电流的半导体部件。硅半导体中的P-N结是实现该过程的物理基础。具有足够能量的光子被探测器吸收后会形成光生载流子(电子空穴对)。光生载流子在空间电荷区完成分离后产生光电流。

在不施加外部电压的情况下亦可分离光生载流子。该过程可采用反向电压加速进程。如果不在饱和状态下运行二极管,则光电流与吸光度值能够在多个数量级维持线性关系。

根据外部连接方式,我们将运行状态分为两类:元件运行和二极管运行。在元件运行状态下,二极管直接连接至电器终端,无需使用外部电压源。在此种工作状态下,系统无暗电流产生,便于检测最小强度变化。

在二极管运行状态下,外部电压源与电器终端串行连接,向二极管施加反向电压。在要求实现快速信号响应之应用领域,此种运行模式不啻为理想之选。但其主要缺点是暗电流会随温度升高而呈指数级增长。

PIN二极管在P型半导体和N型衬底之间加入一层本征半导体层,形成本征半导体区(通常为空间电荷区)。然而,该术语词亦可用于具有逆导电性的元器件,但其前提是该元器件未涉及其他非线性效应。

光谱响应图

下载:

PDF: PIN光电二极管应用说明

PDF: 处置与加工

 

5系列:近红外光敏感型高速光电二极管PIN光电二极管

该系列外延式高速光电二极管可成为低工作电压领域可见光与近红外应用的理想之选。

特性:

  • 具有外延层结构的光电二极管,可在低反向电压下加快上升时间。
  • 通过优化外延层厚度,有助于在800nm波段实现最快速度与最大灵敏度。
  • 即使在高工作温度下仍可保持低暗电流

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Dark current
(nA) 3.5 V
Rise time (ns)
405nm, 3.5 V, 50 Ω
3001393 PS0.25-5 LCC6.1 0.5×0.5 / 0.25 0.1 0.4
3001048 PS0.25-5 SMD1206 0.5×0.5 / 0.25 0.1 0.4
3004648 PS1.0-5 TO52 1×1 / 1 0.2 1.0

注:产品需有最低订购量,请与我们联系。

 

6系列:具有超低暗电流的红外光电二极管PIN光电二极管

高性能PIN光电二极管,可用于检测低电容光子及α、β、γ和X射线辐射。

特性

  • 专门针对光伏与光导应用对PIN光电二极管技术进行优化设计
  • 超低暗电流
  • 优良的耐腐蚀性能
  • 电荷载流子寿命长
  • 高击穿电压

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Dark current
(nA) 3.5 V
Rise time (ns)
850 nm, 10 V, 50 Ω
3001208 PC10-6 TO5 Ø 3.57 / 10 0.2 20
3001047 PC20-6 TO8 Ø 5.05 / 20 0.3 25
3001054 PS100-6 CERpinG 10×10 / 100 1 40

注:产品需有最低订购量,请与我们联系。

 

6b系列:蓝绿光敏感型光电二极管PIN光电二极管

蓝绿光敏感增强型PIN光电二极管。

特性

  • 低电容
  • 超低暗电流
  • 长期稳定的检测性能

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Dark current
(nA) 5 V
Rise time (ns)
410 nm, 5 V, 50 Ω
3001225 PS13-6b TO5 3.5×3.5 / 13 0.25 50

注:产品需有最低订购量,请与我们联系。

 

四象限PIN光电二极管(QP)PIN光电二极管

四象限光电二极管是分立元器件,通常由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列光电二极管可用于诸多应用领域,用以检测激光束、准直器及其他方便调节用元器件。

特性:

  • 小面积间隙
  • 低暗电流
  • 优良的耐腐蚀性能
  • 高分辨率
  • 另提供用于1064nm的特别版本

6系列:低暗电流

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Gap (µm) Dark current
(nA); 10 V
Capa-
citance
(pf); 10 V
Rise time (ns);
850 nm, 10 V, 50 Ω
5000029 QP1-6 TO52 Ø 1.13 / 4×0.25 16 0.1* 1 20
3004334 QP50-6 TO8S Ø 7.8 / 4×12.5 42 2.0* 25 40

* per segment

Q系列:1064nm波段光电二极管

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Dark current
(nA); 150 V
Rise time (ns);
1064 nm, 180 V, 50 Ω
3001177 QP22-Q TO8S Ø 5.3 / 4×5.7 1.5* 12
3001275 QP45-Q TO8Si with heater 6.7×6.7 / 4×10.96 8* 12
3001386 QP154-Q TO1032i Ø 14.0 / 4×38.5 10* 12
3001433 QP154-Q TO1081i with heater Ø 14.0 / 4×38.5 10* 12

* per segment

评估板

技术规格和PDF数据图表

Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
5000021 QP45-Q HVSD 6.7×6.7 / 4×10.96
5000010 QP50-6 (42 µm) SD2 Ø 7.8 / 4×11.78
5000023 QP154-Q HVSD Ø 14.0 / 4×38.5

注:产品需有最低订购量,请与我们联系。

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