该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达（LIDAR）系统和激光测距仪而设计，包含线性与矩阵阵列，在单片冲模上配置多个传感器，如8像素、16像素或64像素等。
雪崩光电二极管阵列（APD阵列）
特性：
- 在900nm波段范围内具有快速上升时间
- 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
- 可有效降低偏置水平
- 低温度系数
- 活性表面直径达5毫米
文件下载
- PDF: 雪崩光电二极管阵列应用说明
- PDF: 处置与加工
- PDF: 激光雷达用雪崩光电二极管白皮书
多元阵列
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active elements | Quantum efficency (QE) |
| 3005259 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
| 3001411 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm |
| 3001421 | QA4000-10 | TO8Si | 4 | High QE at 850-1070 nm |
| 3001284 | QA4000-10 | TO8S | 4 | High QE at 850-1070 nm |
评估板
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Type |
| 3005542 | 16AA0.4-9 | on PCB | 16 element APD array with 4 (4) channel TIA’s Remark: Available upon request for sampling to LiDAR projects |
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