雪崩光电二极管阵列(APD阵列)

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雪崩光电二极管阵列(APD阵列)

该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达(LIDAR)系统和激光测距仪而设计,包含线性与矩阵阵列,在单片冲模上配置多个传感器,如8像素、16像素或64像素等。

特性:

  • 在900nm波段范围内具有快速上升时间
  • 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
  • 可有效降低偏置水平
  • 低温度系数
  • 活性表面直径达5毫米

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多元阵列

技术规格和PDF数据图表

Order #ChipPackageActive elementsQuantum efficency (QE)
300525916AA0.13-9SOJ22GL16> 80 % at 760-910 nm with NTC
300141116AA0.4-9SOJ22GL16> 80 % at 760-910 nm
3001421QA4000-10TO8Si4High QE at 850-1070 nm
3001284QA4000-10TO8S4High QE at 850-1070 nm

 

评估板

技术规格和PDF数据图表

Order #ChipPackageType
300554216AA0.4-9on PCB16 element APD array with 4 (4) channel TIA’s
Remark: Available upon request for sampling to LiDAR projects

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