First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造高品质雪崩光电二极管系列产品。材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整，以此优化产品参数，其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。我们致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。
雪崩光电二极管（APD）
关于雪崩光电二极管
雪崩光电二极管是具有内增益机制的二极管。在运行标准二极管时，光子产生电子空穴对。系统通过施加外部电压，利用碰撞电离效应，吸引更多电子跃迁至导带，以此加速进程。这些二次电子反过来可吸收足够能量，进一步增加被吸引跃迁至导带的电子数量，因而可形成高达几百倍的倍增因子。
雪崩二极管通常用于光信号强度极低的工作环境，但也用于具有高调制频率的应用领域。在低于60兆赫的频率范围内，因雪崩效应而加剧的噪声水平通常低于通过结合使用传统二极管与外部电子放大器而产生的噪声水平。
该产品的典型应用领域包括低电平信号下的距离测量及光通信等。First Sensor提供范围宽广的雪崩光电二极管探测器，并配备多款外壳。我们针对蓝光、红光和自905nm至1064nm的红外光谱范围进行元器件优化设计，产品范围涵盖几乎所有应用领域。
下载：
- PDF: 雪崩光电二极管应用说明
- PDF: 雪崩光电二极管阵列应用说明
- PDF: 处置与加工
8系列：针对高截止频率进行优化设计（650nm至850nm波段）
得益于高增益和高速的特性，该系列雪崩光电二极管适用于众多工业应用领域，其中包括距离测量、激光扫描、光通信等。
特性：
- 在800nm波段具有最高灵敏度
- 针对高速特性进行设计优化
- 低温度系数
- 快速上升时间
- 可有效降低偏置水平
- 低电容
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active Area Size (mm) / Area (mm²) | Dark current (nA); M = 100 | Breakdown voltage (V) | Rise time (ns) M = 100, 905 nm, 50 Ω |
| 3001401 | AD230-8 | LCC6.1 | Ø 0.23 / 0.04 | 0.3 | 80–120 | 0.18 |
| 3001341 | AD230-8 | TO52S1 | Ø 0.23 / 0.04 | 0.3 | 80–120 | 0.18 |
| 3001399 | AD500-8 | LCC6.1 | Ø 0.5 / 0.2 | 0.5 | 80–120 | 0.35 |
| 3001349 | AD500-8 | TO52S1 | Ø 0.5 / 0.2 | 0.5 | 80–120 | 0.35 |
另提供内置带通（BP）滤波器的芯片备选
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active Area (mm) | BP center (nm) | BP trans- mission (%) | BP FWHM (nm) |
| 3001405 | AD230-8 | LCC6.1f | Ø 0.23 | 635 | >90 | 55 |
| 3001396 | AD500-8 | LCC6.1f | Ø 0.5 | 635 | >90 | 55 |
注：产品需有最低订购量，请与我们联系。
9系列：近红外敏感增强型（900nm波段）
该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达（LIDAR）系统和激光测距仪而设计，提供用于阵列开发的基本技术，并配备多款传感器供选，如8像素、16像素或32像素等。
特性:
- 在900nm波段范围内具有快速上升时间
- 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
- 可有效降低偏置水平
- 低温度系数
- 活性表面直径达5毫米
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active Area Size (mm) / Area (mm²) | Dark current (nA); M = 100 | Breakdownvoltage (V) | Rise time (ns); M = 100, 905 nm, 50 Ω |
| 3001345 | AD230-9 | TO52S1 | Ø 0.23 / 0.04 | 0.5 | 160–200 | 0.5 |
| 3001415 | AD230-9 | LCC6.1 | Ø 0.23 / 0.04 | 0.5 | 160–200 | 0.5 |
| 3001351 | AD500-9 | TO52S1 | Ø 0.5 / 0.2 | 0.8 | 160–200 | 0.55 |
| 3001413 | AD500-9 | LCC6.1 | Ø 0.5 / 0.2 | 0.8 | 160–200 | 0.55 |
另提供内置带通（BP）滤波器的芯片备选
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active Area (mm²) | BP center (nm) | BP trans- mission (%) | BP FWHM (nm) |
| 3001429 | AD230-9 | TO52S1F2 | Ø 0.23 | 905 | >90 | 45 |
| 3001493 | AD230-9 | LCC6.1f | Ø 0.23 | 905 | >90 | 45 |
| 3001380 | AD500-9 | TO52S1F2 | Ø 0.5 | 905 | >90 | 45 |
| 3001495 | AD500-9 | LCC6.1f | Ø 0.5 | 905 | >90 | 45 |
多元阵列
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | |
| 3005259 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | APD Array 16 elements, QE > 80% @ 760-910 nm with NTC |
| 3001411 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | APD Array 16 elements, QE > 80 % @ 760-910 nm |
混合模块
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Transimpedance [Ohm] | Bandwidth [MHz] |
| 5000041 | AD500-9 | TO52 | 2750 | 500 |
| 5001322 | AD230-9 | TO5 | 2750 | 600 |
| 5000073 | AD500-9 | TO5 | 2750 | 500 |
注：产品需有最低订购量，请与我们联系。
10系列：近红外敏感增强型（1064nm波段）
该系列雪崩光电二极管适用于激光测距仪和采用YAG激光器或类似近红外辐射源的任何应用领域。
特性:
- 在1064nm波段量子产率高
- 高灵敏度
- 低噪音
- 高速
- 专门针对更长波长进行优化设计
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active Area Size (mm) / Area (mm²) | Dark current (nA); M = Vop | Breakdown voltage (V) |
| 3001157 | AD500-10 | TO5i | Ø 0.5 / 0.2 | 1.5 | 220-600 |
| 3001426 | AD4000-10 | TO8Si | Ø 4 / 12.56 | 50 | 220-600 |
| 3001064 | AD4000-10 | TO8S | Ø 4 / 12.56 | 50 | 280-500 |
多元阵列
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | |
| 3001421 | QA4000-10 | TO8Si | Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070 nm |
| 3001284 | QA4000-10 | TO8S | Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070 nm |
注：产品需有最低订购量，请与我们联系。
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